DDR5 SDRAM (англ. double-data-rate five synchronous dynamic random access memory) — пятое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Планируется, что DDR5 предоставит меньшее энергопотребление, а также удвоенную пропускную способность и объём по сравнению с DDR4 SDRAM.
История
Корпорация Intel в выступлении 2016 года предполагала, что JEDEC может выпустить спецификацию DDR5 SDRAM в 2016 году, с коммерческой доступностью памяти к 2020 году.
В марте 2017 JEDEC сообщила о планах выпустить спецификацию DDR5 в 2018 году; на форуме JEDEC Server в 2017 сообщалось о дате предварительного доступа к описанию DDR5 SDRAM с 19 июня 2017, а 31 октября начался двухдневный «DDR5 SDRAM Workshop»..
По сравнению с DDR4 ожидается увеличение пропускной способности (на базовых частотах) на четверть, снижение напряжения питания микросхем до 1,1 вольта (с переносом контроллера питания на плату), появление режима 16n-prefetch в дополнение к 8n.
Количество контактов на каждый канал памяти сохранится в количестве 280 единиц.
Ожидается возможность масштабирования за уровень в 16 гигабитов на кристалл (до 64 Гбитов) и реализация двух 40-битных каналов (32 бита данных и 8 битов ECC) в рамках каждого модуля DIMM (вместо используемых ранее 72 бит=64+8, где 64 бита — ширина шины данных, а 8 — биты исправления ошибок ECC).
Компания Rambus анонсировала прототип памяти DDR5 RAM в сентябре 2017 года, с доступностью не ранее 3 квартала 2018 года..
Micron изготовила первые прототипы памяти в 2017 году, они были проверены при помощи контроллера Cadence (TSMC, 7 нм).
Начало выхода первых изделий на рынок ожидалось до конца 2019 года, с занятием четверти рынка памяти примерно в 2020 году.
Согласно исследованию IDC, предполагалось, что спрос на DDR5 начнёт расти в 2020, а в 2021 достигнет четверти рынка.
Также прогнозировался, в 2020 году, выход родственного стандарта LPDDR5 для ноутбуков и мобильных устройств.
Первую в мире оперативную память нового поколения представила SK Hynix 6 октября 2020 года. Эта память обеспечивает скорость передачи данных в 4800-5600 Мбит/с на контакт (что в 1,8 раза превышает базовые показатели DDR4), напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность; добавлена поддержка исправления ошибок ECC
Ёмкость модулей памяти DDR5 от SK Hynix может достигать 256 ГБ при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).